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HSZSM12T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSZSM12T1G

单向ESD 12V截止 峰值浪涌电流:11A

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描述
该ESD静电保护二极管采用单向技术,配备双通道,专为12V电压系统设计,能承受11A峰值电流冲击,为电路提供坚强的静电防护。其90pF低电容值,确保高速信号无损通过,是保护电子设备免受静电干扰、维护数据传输质量的优选组件。
商品型号
HSZSM12T1G
商品编号
C22440361
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.016克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)12V
钳位电压32V
峰值脉冲电流(Ipp)11A
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压(VBR)13.3V
属性参数值
反向电流(Ir)1uA
通道数双路
工作温度-40℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容90pF

商品概述

HSZSM12T1G 可保护敏感的半导体元件免受静电放电及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间,为暴露于静电放电的设计提供了同类防护。它为设计者提供了灵活性,可在不适用阵列的应用中保护两条单向线路。

商品特性

  • 为高速数据线提供瞬态保护,符合 IEC 61000-4-2 (ESD) 标准:接触放电 ±30kV,空气放电 ±30kV;符合 IEC 61000-4-4 (EFT) 标准:40A (5/50 ns)
  • 峰值功耗:350W (8/20us)
  • 工作电压:12V
  • 保护一条双向线路或两条单向线路
  • 低钳位电压
  • 低漏电流

数据手册PDF