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BSC160N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:160A
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- 描述
- 应用在锂电保护、电机控制、电动工具、电源、储能
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC160N03
- 商品编号
- C22436721
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1271克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.428nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 544pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 664pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 160 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON)典型值 = 1.6 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON)典型值 = 2.3 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理