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BSC360N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:360A
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- 描述
- 应用在锂电保护、电机控制、电动工具、电源、储能、无人机、航模、船模
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC360N04
- 商品编号
- C22436725
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 196W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.35nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 302pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.85nF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽（TRENCH）技术制造。 这项先进技术经过专门设计，可将导通损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 90 A
- RDS(ON)典型值 = 3.6 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(ON)典型值 = 6 mΩ @ VGS = 4.5 V
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理
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