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BSC100N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
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- 描述
- 此功率MOSFET采用先进的SGT技术生产。该先进技术特别设计用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC100N10
- 商品编号
- C22436728
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1249克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.293nF@45V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@45V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 618pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
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