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BSC100N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
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- 描述
- 此功率MOSFET采用先进的SGT技术生产。该先进技术特别设计用于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC100N10
- 商品编号
- C22436728
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1249克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.293nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 618pF |
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 85 A
- RDS(ON)典型值 = 7.4 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(ON)典型值 = 9.3 mΩ @ VGS = 4.5 V
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- DC/DC、AC/DC电流开关
- 电源管理
- 电机驱动、快速/无线充电