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IPP069N20NM6AKSA1
N沟道 200V 136A
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP069N20NM6AKSA1
- 商品编号
- C22401241
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 136A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
AGMH065N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- N沟道,常通电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 高雪崩能量额定值
- 175°C工作温度
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
- 100%雪崩测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器