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GT55N06D5-B
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT55N06D5-B
- 商品编号
- C22362799
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 不间断电源 (UPS)
- 电子镇流器