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SE30150B
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通FOM；简单的驱动要求；小封装尺寸；表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE30150B
- 商品编号
- C238629
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.032nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 743pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 898pF |