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AM9435SA
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.2A
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- 描述
- P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
- 品牌名称
- Axelite(亚瑟莱特)
- 商品型号
- AM9435SA
- 商品编号
- C224230
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- -30V / -5.2A，在VGS = -10V时，RDS(ON) < 60mΩ
- -30V / -4.0A，在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 90mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP - 8封装设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器