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2SK3475(TE12L,F)
1个N沟道 耐压:20V 电流:480mA
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- 描述
- RF用途,N沟道,20V,1A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3475(TE12L,F)
- 商品编号
- C224376
- 商品封装
- SC-62
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@2mA | |
| 输入电容(Ciss) | 11pF | |
| 工作温度 | -45℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.5pF |
应用领域
- 高频率电信设备功率放大器
- 一般电子应用（计算机、个人设备、办公设备、测量设备、工业机器人、家用电器等）
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