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2SK3074(TE12L,F)
1个N沟道 耐压:30V 电流:1A
- 描述
- RF用途,N沟道,30V,1A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3074(TE12L,F)
- 商品编号
- C224374
- 商品封装
- SC-62
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 输出功率:P0 \geq 630 mW
- 功率增益:Gp \geq 14.9dB
- 漏极效率:\etaD \geq 45%
- 重量:0.05 ~g (典型值)
应用领域
- 用于笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点（POL）转换器的双 SO - 8 封装 MOSFET