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VNV35N07TR-E引脚图
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VNV35N07TR-E

VNV35N07TR E

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描述
OMNIFET II全自动保护功率MOSFET
商品型号
VNV35N07TR-E
商品编号
C2150145
商品封装
PowerSO-10​
包装方式
编带
商品毛重
1.973克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型负载开关
通道数1
输入控制逻辑高电平有效
工作电压55V
属性参数值
最大连续电流25A
导通电阻28mΩ
功能特性短路保护;过温保护;过压保护;过流保护
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

VNP35N07FI、VNB35N07和VNV35N07是采用VIPower M0技术的单片器件,旨在替换直流至50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳位功能,可在恶劣环境中保护芯片。故障反馈可通过监测输入引脚的电压来检测。封装类型包括D2PAK TO-263和PowerSO-10。

商品特性

  • 线性电流限制
  • 热关断
  • 短路保护
  • 集成钳位
  • 输入引脚低电流消耗
  • 通过输入引脚提供诊断反馈
  • ESD保护
  • 直接访问功率MOSFET的栅极(模拟驱动),兼容标准功率MOSFET
  • 过压钳位保护:内部设定为70V,结合功率MOSFET级的坚固雪崩特性,具有坚固的耐用性和能量处理能力
  • 线性电流限制电路:无论输入引脚电压如何,将漏极电流Id限制在Ilim
  • 过温和短路保护:基于芯片温度感应,与输入电压无关;过温切断发生在最低150℃,芯片温度降至135℃以下时自动重启
  • 状态反馈:过温故障时,通过输入引脚提供状态反馈,内部保护电路将输入与栅极断开,并通过100Ω等效电阻接地,可通过监测输入引脚电压(接近地电位)检测故障
  • 符合人体模型的ESD保护
  • 可由TTL逻辑电路驱动(RDS(on)略有增加)

应用领域

  • 直流至50KHz应用中替换标准功率MOSFET
  • 驱动感性负载

数据手册PDF