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VNB35N07TR-E
全自保护型功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET II全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNB35N07TR-E
- 商品编号
- C2150139
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | - | |
| 通道数 | - | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 工作电压 | 55V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 25A | |
| 导通电阻 | 28mΩ | |
| 功能特性 | 短路保护；过流保护；过温保护；过压保护 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
VNP35N07FI、VNB35N07和VNV35N07是采用VIPower M0技术的单片器件，旨在替换直流至50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳位功能，可在恶劣环境中保护芯片。故障反馈可通过监测输入引脚的电压来检测。封装类型包括D2PAK TO-263和PowerSO-10。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚低电流消耗
- 通过输入引脚提供诊断反馈
- ESD保护
- 直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动），兼容标准功率MOSFET
- 过压钳位保护：内部设定为70V，结合功率MOSFET级的坚固雪崩特性，具有坚固的耐用性和能量处理能力
- 线性电流限制电路：无论输入引脚电压如何，将漏极电流Id限制在Ilim
- 过温和短路保护：基于芯片温度感应，与输入电压无关；过温切断发生在最低150℃，芯片温度降至135℃以下时自动重启
- 状态反馈：过温故障时，通过输入引脚提供状态反馈，内部保护电路将输入与栅极断开，并通过100Ω等效电阻接地，可通过监测输入引脚电压（接近地电位）检测故障
- 符合人体模型的ESD保护
- 可由TTL逻辑电路驱动（RDS(on)略有增加）
应用领域
- 直流至50KHz应用中替换标准功率MOSFET
- 驱动感性负载