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TSA12N90M
1个N沟道 耐压:900V 电流:12A
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- 描述
- 特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术，该技术可降低导通电阻，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 12A，900V，最大导通电阻 RDS(on)=1.1Ω（VGS=10V 时）。 低栅极电荷：Qg = 83nC（典型值）。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA12N90M
- 商品编号
- C20623849
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.968667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
优惠活动
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