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TSF65R190S3
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- SJ-FET是新一代高压MOSFET系列，采用先进的电荷平衡机制，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF65R190S3
- 商品编号
- C20623856
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.809667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.5nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |