温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSP50N25M
1个N沟道 耐压:250V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术生产。该先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSP50N25M
- 商品编号
- C20623859
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.736克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 194W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.521nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 16A、250V，最大导通电阻RDS(on) = 0.25Ω（VGS = 10V时）