温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSK50N30M
1个N沟道 耐压:300V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术制造。 50A，300V，最大 RDS(on)=0.06Ω @VGS=10V。 漏源击穿电压：BVDSS=300V（最小值）。 低栅极电荷：Qg = 122nC（典型值）。 100% 雪崩测试。 RoHS 合规器件
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK50N30M
- 商品编号
- C20623853
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.829333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 198W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单