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TSP32N20M
1个N沟道 耐压:200V 电流:32A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用芯导科技（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSP32N20M
- 商品编号
- C20623858
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.717667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 288pF |
商品概述
IRF1405采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
商品特性
- -32A、200V,最大导通电阻RDS(on)=0.086Ω(VGS = 10V时)
- 低栅极电荷:Qg = 46nC(典型值)
- 低反向传输电容:Crss = 36pF(典型值)
- 更低的电磁干扰(EMI)噪声
- 符合RoHS标准的器件
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源