温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSF14N30M
1个N沟道 耐压:300V 电流:14A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：高电压：BVDSS = 300V(Min.)。 低CRSS：CRSS = 19pF(Typ.)。 低栅极电荷：Qg = 24nC(Typ.)。 低RDS(on)：RDS(on) = 0.29Ω(Max.)
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF14N30M
- 商品编号
- C20623854
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.802333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.344nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.8pF | |
| 输出电容(Coss) | 228pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用TrueSemi先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- 65A、250V，最大RDS(on)=0.05Ω
- 低栅极电荷：Qg = 115nC（典型值）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件