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TSA25N50MD
1个N沟道 耐压:500V 电流:25A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA25N50MD
- 商品编号
- C20623850
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.773333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品特性
- 这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。
- 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
- 50A、300V，在VGS = 10V时，最大导通电阻RDS(on)=0.06Ω
- 漏源击穿电压BVDSS = 300V（最小值）
- 低栅极电荷：Qg = 122nC（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件