商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 254pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 506pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SOT-223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。独特的封装设计使其能像其他封装一样轻松实现自动拾放，此外，由于散热片的散热片增大，还具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功耗可达1.0W。
商品特性
- 专有新型平面技术
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 45 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 直流-直流转换器
- 用于UPS的直流-交流逆变器
- 开关电源和电机控制