商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.002nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 248pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 先进平面工艺
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.75 Ω(典型值)
- 低栅极电荷,可最大程度降低开关损耗
- 坚固的多晶硅栅极结构
应用领域
- 无刷直流电机驱动器
- 电焊机
- 高效开关电源