商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 1.2 Ω(典型值)
- 专有新型平面技术
- 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器充电器
- 开关模式电源(SMPS)
- 液晶面板电源