KNP45100A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合RoHS标准
- RDS(ON),典型值 = 2.0 Ω(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 开关电源待机电源
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| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |