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KIA5N50SD
5A、500V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：坚固的高压终端。 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS = 10V时，DFN5*6封装典型值为1.35Ω，TO-252封装典型值为1.38Ω。 规定了雪崩能量。 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当。 二极管适用于桥式电路。 规定了高温下的IDSS和VDS(on)
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA5N50SD
- 商品编号
- C20623380
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.38Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
KCX2704A是一款采用LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOSFET。经过改进的工艺和单元结构特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能进行了优化。该器件广泛应用于UPS和逆变器系统的电源管理。
商品特性
- 坚固的高压端接
- RDS(ON) = 1.35Ω(典型值)@ VGS = 10V(DFN5*6)
- RDS(ON) = 1.38 Ω(典型值)@ VGS = 10 V(TO - 252)
- 规定雪崩能量
- 源极至漏极二极管恢复时间与分立快恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(ON)