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KNK7880A
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的平面工艺。 RDS(ON)=280mΩ（典型值），VGS = 10V。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。应用：无刷直流电机驱动器。 电焊机
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNK7880A
- 商品编号
- C20623383
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 650W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 输出电容(Coss) | 660pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 漏极电流（ID） = 18 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 4.8 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 6.8 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 在4.5 V栅源电压下具有极低的导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 无铅
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 栅极电阻RG 100%测试
应用领域
- 笔记本处理器电源同步MOSFET
- 网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET