商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 585W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 556pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻RDS(ON)可确保功率损耗最小并节约能源，使这些器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。
商品特性
- 先进平面工艺
- RDS(ON) = 480 mΩ(典型值),VGS = 10 V
- 低栅极电荷,可最大限度降低开关损耗
- 坚固的多晶硅栅极结构
应用领域
- 无刷直流电机驱动器
- 电焊机
- 高效开关电源