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KNF6180B
10A、800V N沟道MOSFET
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- 描述
- KNX6180B是一款采用高压平面VDMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNF6180B
- 商品编号
- C20623382
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 152pF |
商品概述
6N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
商品特性
- 10A,800V,RDS(ON)(典型值)=0.87Ω @ VGS=10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器