商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 高速开关
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理