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YJL2303B
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 沟槽功率低压MOSFET技术。高密单元设计，实现低导通电阻。高速开关。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJL2303B
- 商品编号
- C20605865
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0451克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
- 防潮等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 漏源电压VDS -30V
- 漏极电流ID -3A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10 V时)< 70 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5 V时)< 105 mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 电源管理
- 负载开关