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YJL3139KADW
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- Trench Power LV MOSFET technology。High Density Cell Design for Low RDS(ON)。High Speed switching
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJL3139KADW
- 商品编号
- C20605875
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 高速开关
- 无卤
- 湿气敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
应用领域
- 功率开关应用-不间断电源-直流-直流转换器