温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
YJL3134KA
N沟道增强型场效应晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用法国功率低压MOSFET技术。具备高功率和大电流处理能力。湿度敏感度等级为1级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJL3134KA
- 商品编号
- C20605870
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS)20 V
- 漏极电流(ID)0.9A
- 栅源电压(VGS)为4.5V时的导通电阻(RDS(ON))<300毫欧
- 栅源电压(VGS)为2.5V时的导通电阻(RDS(ON))<400毫欧
- 栅源电压(VGS)为1.8V时的导通电阻(RDS(ON))<700毫欧
- 静电放电防护高达2.0KV(人体模型HBM)
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关