商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 高速开关
商品特性
- VDS -30V
- ID -7A
- RDS(ON)(在VGS = -10V时)< 21 mΩ
- RDS(ON)(在VGS = -4.5V时)< 28 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理