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YJGD20G10B
N沟道及N沟道互补MOSFET
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。高密度单元设计，实现低导通电阻。高速开关。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJGD20G10B
- 商品编号
- C20605824
- 商品封装
- PDFN5060-8L-Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1891克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级 1
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
应用领域
- 功率开关应用-不间断电源-DC-DC 转换器