商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@15V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
CGH55030F1/P1是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计，这使得CGH55030F1/P1非常适合用于5.5 - 5.8 GHz的WiMAX和宽带接入（BWA）放大器应用。该晶体管有螺装法兰封装和焊装片式封装两种形式。通过适当的外部匹配调整，CGH55030F1/P1也适用于4.9 - 5.5 GHz的应用。
商品特性
-超低损耗-高频运行-MOSFET关断无拖尾电流-常关型、故障安全器件运行-可选预涂覆热界面材料
应用领域
-直流-直流转换器-电动汽车充电器-高效转换器/逆变器-可再生能源-智能电网/并网分布式发电