商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@69mA | |
| 输入电容(Ciss) | 20.4nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 带有氮化铝隔离的miniBLOC
- 低导通电阻（RDS(on)）的HDMOSTM工艺
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 具备非钳位电感开关（UIS）额定值
- 低封装电感
- 快速本征整流器
应用领域
- 直流-直流转换器-同步整流-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-温度和照明控制-低压继电器