商品参数
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商品概述
CGH55030F1/P1是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计，这使得CGH55030F1/P1非常适合用于5.5 - 5.8 GHz的WiMAX和宽带接入（BWA）放大器应用。该晶体管有螺装法兰封装和焊装片式封装两种形式。通过适当的外部匹配调整，CGH55030F1/P1也适用于4.9 - 5.5 GHz的应用。
商品特性
-超低损耗-高频运行-MOSFET关断无拖尾电流-常关型、故障安全器件运行-可选预涂覆热界面材料
应用领域
-直流-直流转换器-电动汽车充电器-高效转换器/逆变器-可再生能源-智能电网/并网分布式发电