商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 栅极电压(Vgs) | -4V;15V |
商品概述
CGH55030F1/P1是一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计,这使得CGH55030F1/P1非常适合用于5.5 - 5.8 GHz的WiMAX和宽带接入(BWA)放大器应用。该晶体管有螺装法兰封装和焊装片式封装两种形式。通过适当的外部匹配调整,CGH55030F1/P1也适用于4.9 - 5.5 GHz的应用。
商品特性
-超低损耗-高频运行-MOSFET关断无拖尾电流-常关型、故障安全器件运行-可选预涂覆热界面材料
应用领域
-直流-直流转换器-电动汽车充电器-高效转换器/逆变器-可再生能源-智能电网/并网分布式发电
- ACC06AF20-21SZ-003-B30-LC
- ACC00E22-20S-003-LC
- 6-2176316-6
- FCQ38999/23YD35PEMIL-STD-461
- FCQ38999/20FJ29SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20WE99SCMIL-STD-461
- FCQ38999/26JJ41PDMIL-STD-461
- HW4L-A1F11QD-S-6V
- FCQ38999/26TH6BDMIL-STD-461
- MKP1W031507D00JSSD
- Q5-O3-1P-O-X
- 5-2176316-4
- GTC00R28-6SW-RDS-LC
- FCQ38999/26JH53HNMIL-STD-461
- ACC06AF32-6P-003-B30-LC
- FCQ38999/24MF31PDMIL-STD-461
- GTCL06-32-AFPW-B30-LC
- FCQ38999/20SD5PEMIL-STD-461
- GTC030R24-16SX-025-LC
- 6-2176316-2
- GTC06A28-16SY-025-B30-LC


