商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 450A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.364kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品特性
- 高功率密度封装
- 高结温(175 °C)工作
- 低电感(6.7 nH)设计
- 采用第三代碳化硅MOSFET技术
- 氮化硅绝缘体和铜基板
- 1200 V漏源电压
应用领域
-电机驱动器和牵引驱动器-车辆快速充电器-汽车测试设备