商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品概述
这款双路30V N沟道沟槽MOSFET采用全新的3mm x 2mm MLP（微引脚封装）创新外形封装，利用独特结构，兼具低导通电阻和快速开关速度的优势。这使其非常适合高效率、低电压电源管理应用。用户还将获得其他几个关键优势： 与更大尺寸封装相当的性能 提高电路效率和功率水平 节省PCB面积和器件布局空间 减少元件数量 3x2mm双芯片MLP
商品特性
- 参考设计放大器可在1.2 - 1.4 GHz下工作
- FET调谐范围为超高频至1800 MHz
- 典型输出功率为500 W
- 功率增益为16 dB
- 典型漏极效率为68%
- 脉冲幅度下降小于0.3 dB
- 输入内部预匹配,输出不匹配
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制