IS62WV6416DBLL-45TLI
64K X 16 低电压超低功耗 CMOS 静态 RAM
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62WV6416DBLL-45TLI
- 商品编号
- C20544193
- 商品封装
- 44-TSOP II
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 读写时间 | 45ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 8mA | |
| 待机电流 | 4uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
ISSI IS62/65WV6416DALL和IS62/65WV6416DBLL是高速1M位静态随机存取存储器，组织为64K字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当CS1为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中），或者当CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE）控制存储器的读写操作。数据字节允许访问上字节（UB）和下字节（LB）。IS62/65WV6416DALL和IS62/65WV6416DBLL采用JEDEC标准48引脚迷你BGA（6mm×8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。
商品特性
- 高速访问时间：35ns、45ns、55ns
- CMOS低功耗运行：典型运行功耗15mW，典型CMOS待机功耗1.5μW
- TTL兼容接口电平
- 单电源供电：62WV6416DALL的VDD为1.65V - 2.2V；65WV6416DBLL的VDD为2.3V - 3.6V
- 完全静态操作：无需时钟或刷新
- 三态输出
- 上下字节数据控制
- 支持工业和汽车温度
- 提供2CS选项
- 无铅可选