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CAB008M12GM3
参数完善中
一款双增强型P沟道硅MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这款节能型MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)、低栅极电荷和低阈值电压的优势。
~~- 低导通电阻RDS(ON)-高漏极电流-低栅极电荷
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