CAB008M12GM3

一款双增强型P沟道硅MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这款节能型MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)、低栅极电荷和低阈值电压的优势。

• 超低损耗
• 高频运行
• MOSFET关断无拖尾电流
• 常关、故障安全器件运行
• 可选预涂覆热界面材料

• DC-DC转换器
• 电动汽车充电器
• 高效转换器/逆变器
• 可再生能源
• 智能电网/并网分布式发电