- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV；1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A；160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@15V；8mΩ@15V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V；2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 472nC；472nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 13.6nF；13.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF；43pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 560pF；560pF |
商品概述
一款双增强型P沟道硅MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这款节能型MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)、低栅极电荷和低阈值电压的优势。
商品特性
- 超低损耗
- 高频运行
- MOSFET关断无拖尾电流
- 常关、故障安全器件运行
- 可选预涂覆热界面材料
应用领域
- DC-DC转换器
- 电动汽车充电器
- 高效转换器/逆变器
- 可再生能源
- 智能电网/并网分布式发电
- CBB021M12FM3T
- FCQ38999/25NJ8PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26ME26HNMIL-STD-461
- IHCM2321AAEG900N10
- 1812YA250101FGTUYX
- GTC00CF28-20P-LC
- GTC030RV20A37S-RDS-LC
- IS62WV12816DBLL-45TLI-TR
- GTC06LCFZ32-15PW-025-B30-LC
- FCQ38999/24MJ8ADMIL-STD-461
- FCQ38999/20KG39SNMIL-STD-461
- FCQ38999/24FC35SDMIL-STD-461
- FCQ38999/26JJ7BAMIL-STD-461
- ACC05E18-6R-003-LC
- IS43DR16320C-25DBI-TR
- FCQ38999/23NJ17PAMIL-STD-461
- ACC06R28-3PW-003-B30-LC
- FCQ38999/26ZB5PBMIL-STD-461
- UT-09-515-Q
- AT93C66AW-10SU-1.8
- GTC00AF32-6PW-LC