商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
商品特性
- 宽带内部输入和输出匹配
- 非对称Doherty设计
- 主路:P1dB = 典型值140 W
- 峰值:P1dB = 典型值260 W
- P1dB时的输出功率 = 200 W
- P3dB时的输出功率 = 400 W
- 效率 = 49%(Pout = 平均57 W)
- 增益 = 15 dB(Pout = 平均57 W)
- 能够承受10:1的电压驻波比,条件为32 V、100 W(连续波)输出功率
- 集成静电放电保护
- 人体模型2级(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
- 低热阻
- 无铅且符合RoHS标准
应用领域
-多标准蜂窝功率放大器应用
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