IS65WV12816BLL-55TA3-TR

ISSI IS65WV12816ALL/IS65WV12816BLL是高速2M位静态随机存储器，组织形式为128K字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当CS1为高电平（未选中），或CS2为低电平（未选中），或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时，该器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松实现存储器扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。数据字节允许进行高字节（UB）和低字节（LB）访问。IS65WV12816ALL和IS65WV12816BLL采用JEDEC标准的48引脚迷你BGA（6mm×8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。

• 高速访问时间：55ns、70ns
• CMOS低功耗运行：工作时36mW（典型值），CMOS待机时9μW（典型值）
• TTL兼容接口电平
• 单电源供电：1.65V至2.2V VDD（65WV12816ALL）；2.5V至3.6V VDD（65WV12816BLL）
• 完全静态操作：无需时钟或刷新
• 三态输出
• 上下字节数据控制
• 提供2CS选项
• 温度选项：选项A：0至70°C；选项A1：-40至+85°C；选项A2：-40至+105°C；选项A3：-40至+125°C
• 提供无铅版本