商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 438A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.546kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.245uC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 37.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 高功率密度封装
- 高结温(175 °C)工作
- 低电感(6.7 nH)设计
- 采用Wolfspeed第三代碳化硅MOSFET技术
- 氮化硅绝缘体和铜基板
- 1700 V漏源电压
- 交叉引脚式栅源信号引脚布局
- 端子布局允许直接连接母线排,无需弯曲或套管,实现简单的低电感设计。
- 隔离式集成温度传感可实现高级温度保护。
- 专用高端开尔文漏极引脚可直接进行电压检测,用于栅极驱动器过流保护。
- 1700 VDS允许搭配更高母线电压使用(通常高达1.4 kV)。
应用领域
- 能源
- 医疗
- 电机与运动控制
- 测试和生产设备
- 交通运输
- 牵引逆变器
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