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ZX3CD1S1M832TA

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品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: ZX3CD1S1M832TA
商品编号: C20541879
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	特征频率(fT)	100MHz
	集电极截止电流(Icbo)	25nA
	射基极击穿电压(Vebo)	7.5V

商品概述

该双组合器件采用全新创新的3mm x 2mm MLP封装，包含一个超低饱和PNP晶体管和一个1A肖特基势垒二极管。这种出色的组合为用户在包括DC-DC和充电电路等应用中提供高效性能。用户还将获得其他几个关键优势：性能能力与更大尺寸的封装相当提高电路效率和功率水平节省PCB面积和器件布局空间降低封装高度（标称0.9mm）减少元件数量 3mm x 2mm双芯片MLP

商品特性

极低饱和电压（1A时为 -140mV）
截止 -10A时均有HFE特性表征
集电极连续电流IC = -4A
超低正向压降VF、快速开关肖特基
3mm x 2mm MLP

应用领域

DC - DC转换器
手机
充电电路
电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	PNP
	集电极电流(Ic)	4A
	集射极击穿电压(Vceo)	12V