商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.9mΩ@15V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
GTVA263202FC是一款340瓦（P₃dB）的碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）常通型高电子迁移率晶体管（HEMT）D模式放大器，适用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配、高效率的特点，采用带无耳法兰的热增强型表面贴装封装。
商品特性
-超低损耗-高频运行-MOSFET关断无拖尾电流-常关、故障安全器件运行-可选预涂覆热界面材料
应用领域
-直流-直流转换器-电动汽车充电器-高效转换器/逆变器-可再生能源-智能电网/并网分布式发电