WAS530M12BM3

品牌名称: WOLFSPEED
商品型号: WAS530M12BM3
商品编号: C20542154
包装方式: 盒装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

一款基于碳化硅（SiC）衬底的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这款氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管（FET）具有出色的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更优异的特性，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁移率晶体管还具备更高的功率密度和更宽的带宽。这款内部匹配场效应晶体管采用金属/陶瓷带法兰封装，以实现最佳的电气和热性能。

商品特性

行业标准62 mm封装尺寸
高湿度环境运行(THB-80,HV-H3TRB)
超低损耗、高频运行
二极管零反向恢复
MOSFET零关断拖尾电流
常关型、故障安全器件运行
铜底板和氮化铝绝缘体

应用领域

感应加热
电机驱动
可再生能源
铁路辅助及牵引
电动汽车快速充电
不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	1.2kV
	连续漏极电流(Id)	645A
	导通电阻(RDS(on))	3.5mΩ@15V
	耗散功率(Pd)	2kW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.6V
	输入电容(Ciss)	38.9nF
	反向传输电容(Crss)	48.5pF
	工作温度	-40℃~+150℃
	输出电容(Coss)	2.6nF