商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 645A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 2kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@127mA | |
| 输入电容(Ciss) | 38.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.6nF |
商品概述
一款基于碳化硅（SiC）衬底的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这款氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管（FET）具有出色的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更优异的特性，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁移率晶体管还具备更高的功率密度和更宽的带宽。这款内部匹配场效应晶体管采用金属/陶瓷带法兰封装，以实现最佳的电气和热性能。
商品特性
- 工作频率：8.4 - 9.6 GHz
- 典型输出功率：80 W
- 功率增益：10 dB
- 典型功率附加效率：55%
- 内部匹配阻抗：50 欧姆
- 功率下降：<0.1 dB
应用领域
- 船用雷达
- 气象监测
- 空中交通管制
- 海上船舶交通管制
- 港口安全