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MT47H256M8THN-3:H TR

2Gb:x4,x8 Twin Die DDR2 SDRAM

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT47H256M8THN-3:H TR
商品编号: C20427879
商品封装: 63-FBGA (8x10)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

2Gb（双芯片）DDR2 SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储设备，包含2,147,483,648位，内部配置为两个8存储体的1Gb DDR2 SDRAM设备。每个DDR2 SDRAM芯片采用双倍数据速率架构实现高速运行。双芯片的寻址方式与单芯片设备相同，此外，多个片选信号可选择所需的存储体组。本双芯片数据手册仅提供一般描述、封装尺寸和引脚分配信息，如需了解单个芯片初始化、寄存器定义、命令描述和芯片操作的完整信息，请参考美光1Gb DDR2数据手册。

商品特性

使用美光1Gb芯片
两个存储体组（包括双CS#、ODT和CKE引脚）
每个存储体组有8个内部存储体用于并发操作
VDD = VDDQ = +1.8V ± 0.1V
JEDEC标准63引脚封装
薄型封装尺寸（最大厚度1.2mm）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR2 SDRAM
	时钟频率(fc)	333MHz
	存储容量	2Gbit
	工作电压	1.7V~1.9V

	属性	参数值
	工作电流	67mA
	刷新电流	14mA
	工作温度	0℃~+85℃
	功能特性	自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能