MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B
汽车用LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E512M64D2HJ-046 AAT:B
- 商品编号
- C20430691
- 商品封装
- 556-WFBGA (12.4x12.4)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 800uA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能 |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源:VDD1 = 1.70 - 1.95 V;1.80 V 标称,VDD2 = 1.06 - 1.17 V;1.10 V 标称,VDDQ = 0.57 - 0.65 V;0.60 V 标称或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V;1.10 V 标称
- 频率范围:2133-10 MHz(每引脚数据速率范围:4266-20 Mb/s)
- 16n预取双倍数据速率架构
- 每通道8个内部存储体,支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入
- 每字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持定向每存储体刷新,便于并发存储体操作和命令调度
- 每通道最高8.5 GB/s
- 集成温度传感器以控制自刷新速率
- 支持部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 支持时钟停止功能
- 符合RoHS标准的环保封装
- 可编程VSS端接
- 支持单端时钟与数据选通
- AE211MD1CB04
- DLS4XP4AA39X
- OVSABBC2R8
- FCQ38999/24FJ7SCMIL-STD-461
- GTCL08AF18-1P-B30-LC
- FCQ38999/24FC4SNMIL-STD-461
- FCQ38999/20FD35PNMIL-STD-461
- FCQ38999/24GC8ABMIL-STD-461
- FCQ38999/20JB5PAMIL-STD-461
- FCQ38999/25NF32PNMIL-STD-461
- FCQ38999/25ND19PBMIL-STD-461
- TMB-E4F2-1L1-01
- MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:B TR
- FCQ38999/26TE99SCMIL-STD-461
- A/RH2-1K-NI-R-NIST
- FCQ38999/26LJ19SNMIL-STD-461
- A/WPR2-30-20
- FCQ38999/24KJ43PEMIL-STD-461
- 1676850-1
- A/RH2-1K-NI-R
- A/DLP-1K2-P-U-N-A-1-A-0P-S

