- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:C
汽车用LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E768M64D4HJ-046 AIT:C
- 商品编号
- C20432561
- 商品封装
- 556-WFBGA (12.4x12.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 48Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 220mA | |
| 刷新电流 | 880uA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V，标称1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V，标称1.10 V
- VDDQ = 0.57 - 0.65 V，标称0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V，标称1.10 V
- 频率范围：2133-10兆赫兹（每引脚数据速率范围：4266-20兆比特/秒）
- 16n预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体用于并发操作
- 单倍数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持每存储体定向刷新，便于命令调度
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- RoHS兼容包装
- 可编程VSS端接
- 支持单端时钟与数据选通
- 工作温度范围：-40°C到+95°C，-40°C到+105°C，-40°C到+125°C
- MT53E1G64D4HJ-046 WT:C
- FCQ38999/24SH55PNMIL-STD-461
- 2203247-2
- 11020979-00
- FCQ38999/26MB35PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26JG39SCMIL-STD-461
- MPMA10012502AT1
- FCQ38999/26SG41SBMIL-STD-461
- SMA-A0204FTDX180K
- FCQ38999/26TD15SNMIL-STD-461
- FCQ38999/26MC35HNMIL-STD-461
- PXAC180602MD-V1-R500
- 44R01-3151-250
- GTC06CF28-75SX-025-RDS-LC
- GTC08-32-31SX-025-LC
- FCQ38999/26KC35SCMIL-STD-461
- FCQ38999/26S37ACMIL-STD-461
- 05059530
- FCQ38999/26LJ20PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZH54PBMIL-STD-461
- 1892820-1