- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E1G64D4HJ-046 WT:C
LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E1G64D4HJ-046 WT:C
- 商品编号
- C20432595
- 商品封装
- 556-WFBGA (12.4x12.4)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 64Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -30℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源供应
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称值 1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
- VDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称值 0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
- 频率范围：2133-10 兆赫兹
- 每引脚数据速率范围：4266-20 兆比特/秒
- 16n 预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持定向每存储体刷新，便于命令调度
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 支持部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 支持时钟停止功能
- 符合环保标准的封装
- 可编程接地端接
- 支持单端时钟与数据选通
- 05059530
- FCQ38999/26LJ20PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZH54PBMIL-STD-461
- 1892820-1
- GTC030LCF32-9S-025-B30-LC
- ACC05A22-23PY-003-LC
- FCQ38999/20GJ20SNMIL-STD-461
- FCQ38999/24TA98SCMIL-STD-461
- FCQ38999/24LJ7SEMIL-STD-461
- FCQ38999/20WD15SBMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZF11PAMIL-STD-461
- QIRF-407FX-0
- FCQ38999/26SE35PAMIL-STD-461
- ACC06F20-15PW-025-LC
- GTC08-32-31S-025-LC
- SS26LH
- FCQ38999/20JG35PEMIL-STD-461
- GTC08-14S-2S-LC
- E2540011
- PMB6618RV2.1
- FCQ38999/26TJ35SDMIL-STD-461